전력변환 효율 향상 지원 … 고속 회복 다이오드 탑재
ST마이크로일렉트로닉스는 엠디메쉬(MDmesh) DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터를 공개했다. 엠디메쉬 DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터는 컴퓨터, 통신 네트워크, 산업과 컨슈머 기기의 저전력 전원 공급 장치의 효율성을 향상시키는 제품이다.
ST의 새로운 전력-트랜지스터 제품군은 고속 회복(Fast-Recovery) 다이오드를 탑재하고 있으며, 최고 650V의 항복전압을 갖춘 다양한 초접합(Super-Junction) 전력 MOSFET으로 구성된다. 낮은 게이트 차지(Gate Charge), 입력 커패시턴스 및 저항, 고속 회복 위상 진성 다이오드, 매우 낮은 회복 차지(Qrr) 및 회복 시간(Trr), 소프트 스위칭(Soft-Switching[2]) 성능 등의 기술적 특성을 제공한다.
ST의 새로운 엠디메쉬 DM2 전력 MOSFET 디바이스는 다양한 패키지와 항복전압 조합으로 공급되며, 가격은 1000개당 1.55달러다.
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