50% 공간 절감으로 전력 밀도 향상
TI코리아(대표 켄트 전 www.ti.com/kr)는 개별 전력 MOSFET과 IGBT를 위해 최대 600V로 동작하는 하프 브리지 게이트 드라이버 ‘UCC27714 상/하측 드라이버 IC’를 출시한다고 밝혔다.
UCC27714 상/하측 드라이버 IC는 4A 소스 및 4A 싱크 전류 용량으로 부품 공간을 50% 줄여, UPS(uninterruptible power supply)와 같은 서버, 통신 및 산업용 설계에 사용 가능한 고주파, 오프라인 AC/DC 전원 공급 장치의 높은 전력 밀도를 구현한다.
UCC27714는 전달 지연이 90ns로 기존 실리콘 솔루션보다 40% 낮다. 또한 -40°C ~125°C에 걸쳐 전달 지연을 최대 125ns로 제어하고 채널 간 지연 매칭은 최대 20ns이다. 부피가 큰 게이트 구동용 트랜스포머가 필요 없기 때문에 고주파 스위치 모드 전원 기기의 보드 공간을 크게 줄일 수 있다.
UCC27714 고속 600V 상측/하측 게이트 드라이버는 SOIC(small outline integrated circuit)-14 패키지로 제공되며, 가격은 1000개 수량 기준으로 1.75달러다.
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