A4WP 리젠스 무선 전력 전송 효율 향상
EPC(Efficient Power Conversion)은 최근 부트스트랩 FET를 통합한 EPC2107(100V), EPC2108(60V) eGaN 하프 브리지 전력 IC를 발표했다. 이 디바이스는 부트스트랩 FET를 eGaN 전력 회로에 통합, 유도 역 회복 손실을 위한 게이트 드라이브는 물론, 하이 사이드 클램프 요건을 제거할 수 있다.
공진형 무선 전력 전송 애플리케이션을 위해 특별히 설계돼 고효율 엔드-유저 시스템을 신속하게 디자인할 수 있도록 한다. 또 GaN 전력 IC는 매우 작은 칩 스케일 패키지로 제공돼 전반적인 시스템 사이즈를 줄일 수 있게 한다. 새로운 제품군은 3개의 FET 대신 하나의 GaN 디바이스를 사용할 수 있어 전반적인 컴포넌트 수를 줄임으로써 비용 절감에도 기여할 수 있다.
두 개의 eGaN 전력 FET를 하나의 전력 IC로 통합함으로써 인터커넥트 인덕턴스, PCB 상에서 요구되는 삽입 공간을 제거할 수 있다. 이러한 단일 통합 전력 부품을 이용함으로써 효율(특히 고주파수에서) 및 전력 밀도를 모두 증대시킬 수 있고, 무선 전력 시스템 디자이너가 구현하는 최종 제품의 어셈블리 비용을 절감할 수 있다.
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