인텔(www.intel.com)과 마이크론(Micron Technology)은 새로운 비휘발성(non-volatile) 메모리 기술인 3D 크로스 포인트(XPoint) 기술을 발표했다. 3D 크로스 포인트 기술은 1989년 낸드 플래시가 소개된 이후 25년만에 발표된 새로운 메모리 카테고리로, 기존 낸드 플래시 보다 성능과 내구성은 1000배, 집적도는 10배의 향상이 가능하다.
롭 크루크(Rob Crooke) 인텔 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 수석 부사장은 “수 십 년간 업계는 프로세서와 데이터 간의 지체 시간을 줄여서 보다 빠른 분석이 가능한 방법을 찾아왔다”며, “이번에 발표한 새로운 차원의 비휘발성 메모리는 메모리와 스토리지 솔루션 분야의 업계 판도를 완전히 바꿀 새로운 성능을 제공해줄 것”이라고 기대했다.
마크 아담스(Mark Adams) 마이크론 사장은 “프로세서에서 장기 저장 데이터에 다다르는 데까지 걸리는 시간은 오늘날 컴퓨팅 시대의 가장 뚜렷한 장애물 중 하나”라며 “새로운 비휘발성 메모리는 혁신적 기술로 방대한 양의 데이터 셋에 빠르게 엑세스하는 것을 가능하게 함은 물론 완전히 새로운 애플리케이션들을 구현할 것”이라고 말했다.
3D 크로스 포인트 기술은 1280억개의 고밀도 패킹 메모리 셀을 수직배열된 전도체로 연결함으로써 고집적, 고성능을 실현한다. 메모리 셀이 워드 라인과 비트 라인의 교차점에 놓여 3차원의 바둑판 모양을 형성하는 크로스포인트 아키텍처는 미세한 단위로 데이터를 읽고, 쓰게 함으로써 빠르고 효율적인 읽기/쓰기 프로세스가 가능하다.
현재 2개의 메모리 레이어에 다이(die)당 128Gb가 저장 가능하며, 리소그래피(lithographic) 피치 확장 방식에 더해 더 많은 메모리 레이어를 활용할 수 있게 되면 시스템 성능을 지속적으로 높일 수 있을 것으로 기대된다.
한편 3D 크로스 포인트 기술은 올해 말에 샘플링이 시작될 예정이며, 인텔과 마이크론은 3D 크로스 포인트 기술에 기반한 제품들을 각각 개발 중에 있다.
