ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics)가 새로운 1200V 절연 게이트형 양극성 트랜지스터(IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor) ‘S 시리즈’를 출시했다. S 시리즈는 최대 8kHz의 스위칭 주파수에서 최저의 결합 전도와 턴오프 손실을 구현하도록 최적화돼 무정전 전원공급 장치(UPS), 태양 발전기, 용접기, 산업용 모터 드라이브 등의 전력변환 효율성을 증대시킨다.
S 시리즈는 현재 시판 중인 1200V IGBT 중에서 포화 전압(VCE(sat))이 가장 낮기 때문에 전압 강하를 더 낮게 하고 전력 손실을 최소화해 열 관리를 간소화할 수 있다. Vce(sat)의 정 온도 계수(PTC : Positive Temperature Coefficient)는 파라미터가 조밀하게 정열돼 높은 전력 소모를 위해 디바이스 다수를 병렬화 하는 것도 간단하다. 또 꺼진 상태에서는 전압 오버슛이 매우 낮고 오실레이션 값이 제로(0)로, 외부 회로를 더욱 간소화하고 부품 수도 줄일 수 있다.
견고성과 안정성도 우수해 합온도150°C 조건에서 단락(short-circuit) 시간이 최소 10µs(마이크로세컨드) 수준이며 래치 업(latch-up) 없이 작동하고, 최대 동작 접합부 온도는 175°C까지 향상됐으며 넓은 안전 동작 영역(Safe Operation Area, SOA)을 확보한다. S시리즈는 최대 8kHz의 주파수 범위에서 하드 스위칭 토폴로지용으로 이상적이며, 3세대 트렌치 게이트 필드 스톱(TGFS : Trench-Gate Field-Stop) 기술을 적용했다. 이는 20kHz 이하, 20kHz 초과 영역에서 각각 최적의 효율성을 구현하도록 설계된 ST의 M 시리즈, H 시리즈 1200V IGBT를 보완한다.
