인텔(www.intel.com)은 마이크론(Micron Technology)과 협력해 고밀도 플래시 메모리인 3D 낸드 기술을 개발했다고 발표했다. 인텔과 마이크론의 합작품인 새로운 3D 낸드 기술은 데이터 스토리지 셀 레이어를 정밀하게 수직으로 적층해 경쟁업체의 낸드 기술 대비 3배 더 높은 저장용량을 제공한다.
인텔과 마이크론이 개발한 3D 낸드 기술은 기초 메모리 셀로 플로팅게이트(floating gate cell) 셀을 채택하고, 셀을 32레이어로 수직으로 쌓아 표준 패키지에 적합한 256GB MLC과 384GB TLC 다이를 만들어 더 높은 용량의 메모리 집적을 구현했다. 셀을 수직으로 쌓음으로써 용량이 확보되며, 개별 셀 차원은 더 커질 수 있어 껌 크기로 3.5TB 이상이, 표준 2.5인치 규격으로는 10TB 이상의 SSD 구현이 가능하다. 인텔과 마이크론이 개발한 3D 낸드 기술은 MLC(Multi-Level Cell)와 TLC (Triple-Level Cell) 방식에 모두 활용 가능하다.
인텔의 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 수석 부사장 겸 총괄 매니저 롭 크루크(Rob Crooke)는 “이번 3D 낸드 기술의 개발은 업계를 선도하는 혁신적인 비휘발성 메모리 기술을 시장에 제공하고자 하는 인텔과 마이크론의 끊임없는 노력을 보여주는 예”라며, “새로운 3D 낸드 기술 혁신으로 놀라울 정도로 향상된 집적도와 비용 절감 효과에 힘입어 컴퓨팅 플랫폼에서의 솔리드 스테이트 스토리지의 적용이 가속화될 것”이라고 밝혔다.
마이크론 메모리 기술 및 솔루션 담당 부사장인 브라이언 셜리(Brian Shirley)는 “마이크론과 인텔은 상호 협력 하에 업계 최고의 솔리드 스테이트 스토리지(solid-state storage) 기술을 개발해냈으며, 이 기술은 높은 집적도, 성능, 효율성을 제공해 그 어떤 플래시와 비교해도 월등한 품질을 자랑한다” 라며, “3D 낸드 기술은 궁극적으로 시장을 변화시킬 수 있는 잠재력을 가지고 있다. 현재까지 플래시는 스마트폰부터 플래시에 최적화된 슈퍼컴퓨팅까지 영향을 미쳐왔으며, 앞으로 이보다 더 광범위하게 활용될 것이다”이라고 말했다.
