마이크로칩, 1.8V 저전력 4Mb/8Mb 메모리 내장 제품 출시
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마이크로칩, 1.8V 저전력 4Mb/8Mb 메모리 내장 제품 출시
  • 오현식 기자
  • 승인 2015.01.21 09:15
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직렬 쿼드 I/O 슈퍼플래시 메모리 제품군 확장

한국마이크로칩테크놀로지(대표 한병돈)는 SST26WF080B, SST26WF040B를 출시, 1.8V 직렬 쿼드I/O(SQI) 슈퍼플래시(SuperFlash) 메모리 제품군을 확장했다. SST26WF080B, SST26WF040B는 4MB, 8MB 메모리와 마이크로칩의 슈퍼플래시(SuperFlash) 기술을 활용해 빠른 소거 기능과 뛰어난 안정성을 갖췄다.

SST26WF080B/040B는 슈퍼플래시 기술을 적용해 경쟁 제품보다 빠른 소거 시간을 제공한다. 섹터 및 블록 소거 명령은 18ms에 완료되며, 전체 칩 소거 동작은 35ms에 완료할 수 있다. 경쟁 상품들의 경우 전체 칩 소거 동작 수행에 5~15초가 소요되는 것에 비해 SST26WF080B/040B는 이보다 약 300배 빠른 성능을 제공한다. 소거 시간이 단축되면 테스트와 펌웨어 업데이트에 소요되는 시간이 최소화해 제품 생산 출하량을 높일 수 있으므로 비용을 절감할 수 있다.

SQI 인터페이스는 고속 104 MHz 쿼드 I/O 직렬 인터페이스로 적은 수의 핀 패키지로도 데이터 처리율을 높일 수 있다. 이 인터페이스는 지연시간이 짧은 XIP(execute-in-place) 기능을 통해 RAM 디바이스에서 코드 쉐도잉(code shadowing) 없이 플래시 메모리로 즉시 프로그램을 저장하고 실행할 수 있다. SST26WF080B/040B는 병렬 플래시에서 소요되는 높은 비용과 다수의 핀 없이도 동급 x16 병렬 플래시 디바이스에 비해 빠른 데이터 처리량을 제공한다. 또한 SQI 인터페이스는 기존의 직렬 주변 장치 인터페이스(SPI) 프로토콜의 하위/이전 명령 집합과도 호환된다.

랜디 드윙가(Randy Drwinga) 마이크로칩 메모리 제품 사업부 부사장은 “마이크로칩의 저전력 1.8V 직렬 쿼드 I/O 제품 라인에 SST26WF080B/040B 슈퍼플래시 제품을 추가함으로써 업계 최단 소거 시간을 갖는 고속 플래시 메모리로 뛰어난 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”며, “소형 폼팩터 밎 저전력 기능을 갖는 이번 신제품은 사물 인터넷 애플리케이션을 포함하여 휴대용 배터리를 사용하는 차세대 임베디드 디자인에 이상적이다”고 말했다.
 


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