ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics)는 새로운 RF 신디사이저 ‘STW81200’을 선보였다. STW81200은 ST의 BiCMOS(SiGe) 공정 기술을 적용해 한 개의 칩에 광대역 전압제어 오실레이터(VCO), 정수형/분수형 이중 위상고정 루프(PLL) 코어, 저잡음 전압 레귤레이터를 집적시키고 프로그래머블 하드웨어 옵션들을 더해서 RF 조건을 폭넓게 만족시킨다.
기지국, 무선 링크, 위성, 통신 및 계측기와 같은 애플리케이션에서는 전체적인 시스템 성능이 RD 신디사이저의 위상 잡음 특성과 긴밀하계 연관되며, RF 성능과는 상관없이 집적도나 비용은 최적화를 필요로 한다. STW81200은 50MHz~6GHz의 폭 넓은 주파수 범위에서 다중 대역, 다중 표준의 소프트웨어 기반 무선통신(SDR) 개발을 지원하는 한편 -227 dBc/Hz의 정규화된 대역 내 위상잡음 플로어, 4.0GHz 반송자에서 1MHz 오프셋으로 -135 dBc/Hz의 VCO 위상잡음, 그리고 -160 dBc/Hz의 잡음 플로어를 제공한다.
STW81200은 5V, 3.6V, 3.0V단일 전원을 자유롭게 사용할 수 있고 전력소비를 성능에 따라 조절할 수 있는 특징이 있어서 기존의 교류 전원 인프라에서 배터리 기기까지 다양한 애플리케이션에 폭넓게 사용 가능하다. STW81200은 현재 양산 확대에 들어가 있으며, ST는 이 칩의 평가 키트를 6×6 QFP(quad flat packs)로 샘플 공급하고 있다. STW81200의 가격은 1000개 단위 주문시 개당 6 달러다.
