도시바코퍼레이션은 삽입손실과 무선 주파수(RF) 왜곡이 업계에서 최저 수준으로 LTE-A를 지원하는 스마트폰용 RF안테나 스위치 IC(집적회로)인 SP12T를 개발했다고 발표했다.
모바일 디바이스의 RF회로에 사용되는 안테나 스위치IC는 다중 포트와 삽입손실 및 선형성을 포함한 RF 성능을 향상시키는 제품의 수요가 증가하는 추세를 보이고 있다. 또한 신흥시장에서 급증하고 있는 데이터 전송 속도가 빠른 모바일 통신기기 수요에 대응하기 위해서는 비용 효과적인 방법으로 이러한 RF 성능을 향상시킬 필요가 있다.
이러한 요구에 부응해 도시바는 실리콘-온-인슐레이터(SOI) 기술을 사용해 신세대 도시바 첨단 RF SOI인 ‘TaRF6’을 개발했다. TarfSOI는 단일 칩에 아날로그와 디지털 및 RF 회로를 통합한 것으로, 이 칩은 갈륨비소(GaAs)와 같은 기존 솔루션에 비해 매우 복잡한 스위칭 기능과 RF 성능을 지원하는 비용 효과적인 솔루션을 제공한다.
새로운 ‘TaRF6’ 공정을 통해 RF스위치 애플리케이션에 맞춘 금속산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)가 개발돼 새로운 SP12T RF 안테나 스위치 IC에 채용됨으로써 0.42dB의 삽입 손실(f=2.7GHz)과 -90dBm의 2차 고조파 왜곡을 달성했다.
이는 기존의 ‘TaRF5’ 공정을 사용한 제품 보다 삽입 손실(f=2.7GHz)이 0.26dB 향상되고 2차 고조파 왜곡이 18dB 개선된 것을 의미한다. 삽입 손실이 낮으면 스마트폰의 전력 소모가 그만큼 줄고, 왜곡이 약하면 왜곡이 적은 주파수대역 묶음 기법(CA)에 기반한 스마트폰의 개발이 가능하다.
도시바는 현재 전세계적으로 사용되고 있는 LTE와 뒤이어 도입될 것으로 예상되는 LTE-A가 요구하는 다중 포트의 복잡한 기능을 가진 스마트폰의 수요에 대응하여 올해 말까지 ‘TaRF6’ 공정을 사용한 삽입 손실과 왜곡이 낮은 제품 라인업을 확대할 예정이다. 또 도시바는 TarfSOI 기술을 사용해 SOI 파운드리 서비스 제공도 검토하고 있다.
