인피니언테크놀로지스코리아(대표 이승수)는 저잡음 증폭기(LNA, Low Noise Amplifier) 애플리케이션을 위한 새로운 SiGe:C(Silicon-Germanium: Carbon) HBT(hetero-junction bipolar transistor) 디바이스 시리즈로 BFx840xESD를 출시한다고 밝혔다. 이 시리즈는 와이파이(WiFi) 액세스 포인트와 모듈을 포함해 5~6GHz 범위에서 동작하는 소비가전 무선 제품을 위해 최적화됐다.
새로운 트랜지스터를 사용, 전체 와이파이 시스템의 성능을 향상시키고, 곧 발표될 IEEE 802.11ac 표준에 정의되어 있는 보다 넓은 커버리지 영역과 매우 높은 쓰루풋을 달성할 수 있다고 인피니언 측은 밝혔다. 새로운 디바이스의 추가적인 애플리케이션으로는 와이맥스(WiMAX), UWB 무선, 위성 통신 등이 있다.
인피니언의 8세대 SiGe:C 공정 기술은 5GH 대역의 고유한 전력 및 잡음 매칭 기능을 통해 제작돼 WiFi LNA 애플리케이션 회로에서 단지 8개의 외부 수동 소자와 단일 인덕터만으로 18dB 이득, 0.96dB 잡음 지수를 달성한다. 이는 경쟁제품에 비해 수동 소자를 4개 줄이면서도 동일하거나 더 향상된 성능을 발휘할 수 있도록 한 것이다.
디바이스 레벨에서 측정시 신형 BFx840xESD 시리즈 트랜지스터는 22dB~23dB의 최대 이득을 달성하며, 5GHz 대역에서 0.65dB~0.85dB의 잡음 지수를 제공한다. 이를 통해 엔지니어들은 손쉽게 2dB 이하의 전체 시스템 잡음 지수를 달성할 수 있다. 이들 트랜지스터를 사용하는 와이파이 LNA는 다른 이용 가능한 솔루션보다 50% 적은 외부 부품만을 필요로 한다.
