삼성전자·IBM, 20나노 이하급 차세대 로직공정 개발
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삼성전자·IBM, 20나노 이하급 차세대 로직공정 개발
  • 강석오 기자
  • 승인 2011.01.13 09:39
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신물질·트랜지스터 구조 개발 등 선행연구 분야도 협력

삼성전자가 IBM과 공동으로 20나노와 20나노 미만의 차세대 로직공정을 개발해 기술 리더십을 더욱 확고히 한다. 그간 양사는 전략적 제휴를 통해 2005년부터 첨단 로직공정을 공동 개발해 왔으며, 이를 통해 65나노, 45나노, 32나노 공정기술을 개발했다.

20나노 이하의 로직공정은 스마트폰, 태블릿PC 등 모바일 기기용 반도체뿐 아니라 고성능 컨슈머 기기 및 클라우딩 컴퓨팅 분야에도 널리 사용 될 차세대 공정기술로, 이번 20나노 이하급 공정개발은 IBM의 뉴욕연구소와 삼성전자 반도체연구소에서 공동으로 추진할 예정이다.

삼성전자는 이를 위해 뉴욕 알바니 나노테크 센터(Albany Nanotech Center)에 위치한 SRA(Semiconductor Research Alliance)에 참여, 20나노 미만 차세대 공정개발을 위한 기초 단계인 신물질 개발, 트랜지스터 구조 개발과 같은 선행연구개발도 진행한다.

정은승 삼성전자 반도체사업부 시스템 LSI 기술개발팀 전무는 “선행연구개발을 통해 양사의 차세대 공정능력을 강화시키고, 이를 통해 지속적인 기술 리더십을 유지할 것”이라고 밝혔다.

마이클 캐디건(Michael Cadigan) IBM 반도체부문 대표는 “혁신적인 컨슈머, 컴퓨팅 기기를 만들기 위해 반도체 분야의 협력은 매우 중요하다”며 “선행연구개발 단계에서부터 삼성과 협력하게 돼 기쁘다”고 밝혔다.


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