ST마이크로·소이텍, 차세대 CMOS 센서 기술 공동개발
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ST마이크로·소이텍, 차세대 CMOS 센서 기술 공동개발
  • 오현식 기자
  • 승인 2009.05.15 18:03
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ST마이크로일렉트로닉스(www.st.com)은 소이텍(Soitec)과 차세대 CMOS 이미지 센서용 300mm 웨이퍼-레벨 후면 조명(BSI) 기술을 공동 개발한다고 밝혔다. 소이텍은 엔지니어링 기판의 세계적 선도 공급사다.


BSI는 카메라 모듈 전체의 풋프린트 축소를 위한 핵심 기술. 이번 협력에는 300mm 웨이퍼로 BSI 센서를 제조하기 위한 소이텍의 스마트스택킹(Smart Stacking) 본딩 기술을 ST마이크로일렉트로닉스에게 라이선스하는 것이 포함돼 있다. ST일렉트로닉스는 BSI 기술을 이용해 300mm 팹에서 첨단 유도-CMOS(derivative-CMOS) 공정 기술에 기반해 차세대 이미지 센서를 65nm 이하의 공정으로 개발할 예정이다.


에릭 오쎄다 (Eric Aussedat) ST마이크로일렉트로닉스 이미징 사업부 총괄 본부장은 “후면 조명 기술은 첨단 이미지 센서를 개발하기 위해 작은 픽셀의 고품질 이미지를 구현하려는 경쟁에 있어 핵심 요소”라며 “소이텍과의 협정을 통해 최고의 가격 경쟁력을 갖춘 첨단 이미지 센서 공정의 개발을 가속화할 것”이라고 밝혔다.


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