싸이프레스코리아(대표 임영도 www.cypress.com)가 65나노 공정의 QDR(Quad Data Rate) 및 DDR(Double Data Rate) SRAM 디바이스 제품을 샘플링하고 있다고 밝혔다. 65나노에 기반함으로써 90나노 SRAM 전력의 절반만 이용하면서도 550MHz의 클록 스피드를 구현했다.
90나노 제품군과 비교해 65나노 QDR 및 DDR SRAM은 최대 60%의 인풋, 아웃풋 전기 용량을 더 낮춰준다. 65나노 QDRII, QDRII+, DDRII 및 DDRII+ SRAM은 현재 모두 샘플링 중이며, 대량 생산은 2009년 3분기로 예정돼 있다.
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