ST마이크로일렉트로닉스(www.st.com)가 신형 파워 MOSFET으로 ‘STx7N95K3’을 출시했다. STx7N95K3 제품군은 기존 제품에 비해 온-저항을 30% 절감, 전력효율을 보다 높인 점이 특징이다.
950V 항복전압 등급을 도입, 시스템이 400V 이상의 높은 전압에서 동작하도록 함으로써 에너지 손실을 최소화하도록 한 것이다. 또한 단일 950V MOSFET를 사용해 고전압 공급기를 구성할 때 종종 사용되는 2-트랜지스터 회로를 대체할 수 있어 설계를 단순화하고, 크기와 부품 수를 줄일 수 있는 이점이 있다.
STx7N95K3 제품군은 보다 높게 적용된 전압을 견딜 수 있을 뿐만 아니라 1.35Ω 이하의 RDS(ON)를 달성함으로써 전도 손실 (conduction losses)을 최소화한다. 이를 통해 디바이스 크기 당 RDS(ON)이 이전 세대의 MOSFET에 비해 30%가 감소되며, 설계자들은 효율을 향상시킬 뿐만 아니라 전력밀도를 증가시킬 수 있다.
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