새로운 제품군은 고성능 DRAM 콘텐츠를 사용하는 플랫폼으로 변경 가능하기에 비용을 절감하면서도 기존의 노어 플래시 메모리에 비해 2~3배 빨라진 읽기 대역폭을 제공한다. 이 밖에 뉴모닉스 벨로시티 LP NV-RAM 제품군은 곧 출시될 뉴모닉스의 상변화 메모리 (PCM) 제품에 대한 원활한 아키텍처 경로를 제공한다.
디지털 사진, 비디오, 게임, 기타 애플리케이션으로 인해 휴대폰에 요구되는 메모리가 계속해서 증가하고 있으며, 이러한 요구에 부합하기 위해 대부분의 휴대폰 제조업체들은 노어와 낸드(NAND)를 비용이 많이 드는 RAM 메모리 기술과 함께 활용하고 있다.
이들 메모리 기술은 각기 다른 하드웨어와 소프트웨어 인터페이스를 필요로 하며, 많은 경우 설계자들이 메모리 시스템 성능을 위해 인터페이스 지원을 늘려야 하기 때문에 시스템 비용이 증가한다.
뉴모닉스 벨로시티 LP NV-RAM은 시스템 내의 실행 메모리를 한 개의 LPDDR 인터페이스로 결합시켜 시스템 아키텍처를 간소화하고, 속도를 높이며, 비용을 절감한다. 비휘발성 메모리 역시 실행 가능하기 때문에 설계자들이 콘텐츠를 RAM 속도로 읽고 시스템 내의 LP RAM 요건을 줄여 메모리 시스템 비용을 낮출 수 있다.
새로운 인터페이스를 지원함에 따라서 시스템 아키텍처 개발자들은 동일한 아키텍처를 사용해 저가에서 고가에 이르는 더 많은 휴대폰을 지원할 수 있도록 메모리 시스템을 구축할 수 있게 된다.
뉴모닉스 부사장 겸 무선 비즈니스 그룹 총괄인 마르코 댈라보라 (Marco Dallabora)는 “뉴모닉스는 지속적으로 무선 비휘발성 메모리 시장 분야를 선도하고 있다”며 “뉴모닉스 벨로시티 LP NV-RAM를 통해 성능을 입증받은 첨단 65nm 비휘발성 메모리 기술 특징을 도입한 LPDDR-NVM 인터페이스 혜택을 최초로 구현하게 됐다”고 전했다.
그는 또 “우리의 목표는 OEM 기업들이 비용 효과적인 고성능 휴대폰을 시장에 선보이고, 무선 시장용 PCM 기반 기기를 구현하는데 있어 초기 우위를 선점할 수 있도록 지원하는데 있다”고 설명했다. <강석오 기자>
