인텔·마이크론, 서브 40나노 낸드 플래시 메모리 기기 발표
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인텔·마이크론, 서브 40나노 낸드 플래시 메모리 기기 발표
  • 정용달
  • 승인 2008.06.02 00:00
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인텔과 마이크론 테크놀로지는 2일 서브 40 나노 낸드(NAND) 메모리 기기를 발표하고, 34나노 32기가바이트 멀티레벨 셀(multi-level cell: MLC) 칩을 선보였다.

이 공정 기술은 인텔과 마이크론이 공동 개발했으며 양사의 낸드 플래시 합작회사인 IM 플래시 테크놀로지스(IM Flash Technologies : IMFT)가 생산했다. 이 칩은 현재 시장에서 가장 작은 낸드 공정 구조를 가지고 있다. 32기가바이트 낸드 칩은 일반적인 48리드(lead) TSOP(thin small outline package)에 맞는 밀도를 구현하는 유일한 집적 회로 제품이며, 기존 애플리케이션의 집적도를 비용 효율적으로 높이게 된다. 고객용 샘플 공급은 6월에 시작되며 대량 생산은 올해 하반기로 예정되어 있다.

마이크론 메모리 그룹의 브라이언 셜리(Brian Shirley) 부사장은 “이 새로운 32기가바이트 기기는 업계에서 이용 가능한 최고의 비트 스토리지 집적도를 제공한다”라며, “인텔의 파트너들과 함께 제조 공정 기술 부문을 선도하게 된 것을 자랑스럽게 생각한다”라고 말했다.

인텔 낸드 제품 그룹의 피트 하젠(Pete Hazen) 마케팅 이사는 “34나노 공정 기술 적용으로  IMFT가 급속히 발전시킬 수 있게 되었으며, 우리를 낸드 공정 기술의 선두로 만들어 준다.”라며, “이러한 기술 진보로 가치 제안을 확대시킬 수 있게 되었으며, 컴퓨팅 플랫폼에서의 SSD 솔루션 채택이 가속화될 것이다.”라고 말했다.

34나노 32기가바이트 칩들은 300밀리미터 웨이퍼에서 제조될 예정이며, 각각에서 약 1.6테라바이트 낸드가 생산된다. 크기가 사람의 손톱보다 작은 172mm² 인 34나노 32기가바이트 칩은 소형 애플리케이션에서 고집적 솔리드 스테이트 스토리지(solid-state storage)를 비용 효율적으로 구현하게 된다. <정용달 기자>


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