IR·인피니언, DirectFET 패키지 기술 라이선스 체결
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IR·인피니언, DirectFET 패키지 기술 라이선스 체결
  • 강석오
  • 승인 2007.09.28 00:00
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전력 관리 기술분야 선도업체인 IR은 인피니언과 IR의 특허받은 첨단 전력 관리 패키징 기술인 DirectFET에 대한 라이선스 계약을 체결할 것이라고 발표했다.

DirectFET 전력 패키지는 컴퓨터, 노트북, 텔레콤, 가전기기에서 AC-DC 및 DC-DC 전력 변환 애플리케이션에 사용될 수 있도록 설계됐으며, SO-8 풋프린트나 더욱 소형의 크기에서 효과적인 탑 사이드 쿨링에 적합한 업계 최초의 표면 실장 전력 MOSFET 패키징 기술이다. 표준 플라스틱 디스크리트 패키지와 비교되는 DirectFET 메탈은 듀얼-사이드 쿨링이 고주파수 DC-DC 벅 컨버터의 전류 조절 용량을 효과적으로 두 배가 될 수 있게 한다.

인피니언은 자사의 OptiMOS 2 및 OptiMOS 3 칩 기술에 DirectFET 전력 패키지 기술을 적용할 계획이며 내년 초에 DirectFET 패키지로 OptiMOS 2를 샘플생산할 예정이다.

IR 엔터프라이즈 전력사업부 팀 필립스(Tim Phillips) 부사장은 “독자적인 듀얼-사이드 쿨링 설계를 구축함으로써 IR의 DirectFET 패키지 기술은 에너지 손실을 감소시키고 최첨단 컴퓨팅, 가전 및 통신 애플리케이션에서 설계 풋프린트를 축소할 수 있어 선호되는 솔루션”이라며 “에너지 절감을 위해 첨단 기술을 지속적으로 개발하고 있으며, 라이선스 계약을 통해 DirectFET와 같은 혁신 기술을 이용해 달성되는 에너지 절약의 영향력을 확대할 수 있을 뿐 아니라 전력관리 시장에서의 입지를 더욱 강화할 수 있게 됐다”고 덧붙였다.

인피니언 아룬자이 미탈(Arunjai Mittal) 수석 부사장은 “이번 계약으로 인피니언은 전력 반도체 포트폴리오를 계속 확장시킬 수 있게 됐다”며 “듀얼-사이드 쿨링 성능을 갖춘 패키지에서 우수한 특성으로 OptiMOS 2 및 OptiMOS 3 디바이스를 제공하는 것은 전력 변환 시장에서 인피니언의 입지를 더욱 강화하게 될 것”이라고 말했다. <강석오 기자>


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