양사는 이번 발표에서 이머션 리소그래피 (immersion lithography)와 울트라-로우-K 인터커넥트 절연체(ultra-low-K interconnect dielectrics) 및 최신 다중 트렌지스터 스트레인 기술 등 45nm 제조 공정 기술에 적용될 새로운 기술들을 상세히 소개했으며, 이 혁신적인 신기술을 적용한 첫번째 45nm 제품이 2008년 중순경에 출시될 수 있을 것이라고 밝혔다.
AMD와 IBM양사는 본 기술을 통해 45nm 마이크로프로세의 출시와 관련해 생산 단계의 이머션 리소그래피 공정을 개발해내지 못하고 있는 경쟁사에 비해 제조공정상의 이점을 확보하게 됐다. 예를 들어 SRAM 셀의 성능은 향상된 공정 성능에 힘입어 약 15% 정도 향상되었으며, 비용을 증가시키는 이중노출 기법 (double-exposure techniques)이 필요 없어졌다.
AMD의 로직 기술 개발 부문 부사장인 닉 케플러(Nick Kepler)는 “AMD와 IBM은 45nm 기술 세대에서 이머션 리소그래피와 울트라-로우-K 인터커넥트 절연체를 사용하기로 발표한 첫번째 제조업체로서 향후에도 마이크로프로세서 공정 기술의 혁신을 지속해갈 수 있게 됐다”라며 “이머션 리소그래피를 통해 양사는 보다 향상된 마이크로프로세서 설계에 대한 정의를 내릴 수 있게 됐을 뿐 아니라, 업계를 선도할 고도의 정교한 제품들을 고객들에게 제공하는 능력을 보다 신장시킬 수 있게 됐다”라고 말했다.
한편 IBM과 AMD는 지난 2003년 1월 이래로 차세대 반도체 제조공정 기술의 개발과 관련하여 협업을 진행해오고 있다. 2005년 11월 양사는 32nm및 22nm 공정 기술 개발을 위해 2011년까지 상호 협력을 연장한다고 발표한 바 있다. <장윤정 기자>
