> 뉴스 > 뉴스 > 컴퓨팅
  • 트위터
  • 페이스북
  • 구플러스
  • 네이버밴드
  • 카카오스토리
     
인텔, 입체 설계 트라이게이트 트랜지스터 기술 발표
2006년 06월 14일 00:00:00 [dataNet]
칩의 기본 구성요소로 여겨진 평면 트랜지스터에서 벗어나 입체형 3D 트랜지스터, 즉 트라이게이트 트랜지스터를 사용하는 방법을 개발했다고 인텔은 밝혔다. 트라이게이트 트랜지스터를 통해 에너지 효율성이 더욱 높아질 것이라고 인텔은 설명했다.

65나노미터 트랜지스터와 비교했을 때, 통합 트라이 게이트 트랜지스터는 45% 강화된 드라이브 전류(스위칭 스피드)을 제공한다. 50배 감소된 오프 전류(off-current)와 35% 감소된 트랜지스터 스위칭 전력을 구현하는 것.

인텔 컴포넌트 리서치(Component Research) 부문을 담당하는 마이크 메이베리(Mike Mayberry) 부사장은 "트랜지스터 성능을 구현을 위해 트라이-게이트 트랜지스터 구조, 하이-케이(high-k) 게이트 유전체, 스트레인드 실리콘(strained silicon) 기술 등 세 가지 주요 요소의 통합을 통해 향후 10년 동안에도 무어의 법칙 적용을 지속할 수 있다는 강력한 확신을 가지게 해줬다"라고 말했다. <오현식 기자>
ⓒ 데이터넷(http://www.datanet.co.kr) 무단전재 및 재배포금지 | 저작권문의  

     

인기기사

 
가장 많이 본 기사
인사·동정·부음
전체기사의견(0)  
 
   * 200자까지 쓰실 수 있습니다. (현재 0 byte/최대 400byte)
   * 욕설등 인신공격성 글은 삭제 합니다. [운영원칙]
전체기사의견(0)
사명: (주)화산미디어 | 주소: 서울시 강남구 강남대로 124길 26 유성빌딩 2층 | 전화: 070-8282-6180 | 팩스: 02-3446-6170
등록번호: 서울아03408 | 등록년월일: 2014년 11월 4일 | 발행년월일: 2003년 12월 17일 | 사업자등록번호: 211-88-24920
발행인/편집인: 정용달 | 통신판매업신고: 서울강남-01549호 | 개인정보관리 및 청소년보호 책임자: 박하석 | 호스팅 사업자: (주)아이네임즈
Copyright 2010 데이터넷. All rights reserved. mail to webmaster@datanet.co.kr