인텔이 45나노미터(nanometer) 공정 기술을 이용한 S램(SRAM: Static Random Access Memory) 칩을 선보였다. 인텔은 “2007년 300mm 웨이퍼 상에서 45나노 기술을 적용한 칩을 제조하겠다는 계획이 차질없이 진행되고 있다는 반증”이라며, “2년마다 새로운 공정 기술을 소개시킴으로써 ‘무어의 법칙’을 지속시키고 있다”고 밝혔다.

인텔코리아의 이희성 사장은 “실제로 작동하는 45나노 칩을 최초로 선보임으로써, 인텔은 칩 제조에 있어 자사가 가지고 있는 선두적 지위를 다시 한번 입증해 보였다”라며 “45나노 기술은 와트당 성능(Performance per Watt)을 향상시킨 PC를 통해 사용자 경험을 한층 확대하는 기반이 될 것”이라고 말했다.

45나노 공정 기술은 현재 공급되고 있는 칩보다 전력 누출량을 1/5 이하로 감소시킬 수 있어 모바일 기기의 배터리 수명을 증가시키고 더 강력한 소형 플랫폼을 제공할 수 있게 한다. 이번에 선보인 45나노 S램 칩은 10억개의 트랜지터를 갖고 있으며, 인텔은 45나노 공정 기술 기반의 칩 제조를 위해 두 개의 대규모 팹(Fab, 일괄제조공정)을 건설 중이라고 밝혔다. <오현식 기자>