IDT는 “최신 공정 기술과 혁신적인 디자인 기법을 활용하여 핵심 검색 성능을 두 배로 끌어올리는 동시에 전력 소모를 절반으로 낮추고 패키지 크기를 30%까지 줄여 준다”고 설명했다. 90nm 기술과 300mm 웨이퍼를 사용함으로써 규모의 경제와 효율적인 NSE 생산이라는 두 가지 이점을 실현하게 됐다는 것이다.
IDT코리아의 이정환 지사장은 “자체 제조 기술은 물론 TSMC 같은 첨단 설비에 대한 아웃소싱 성과가 절묘하게 혼합된 결과”라며 “이번 출시를 통해 IDT의 전문 디자인 기술과 TSMC의 뛰어난 제조 공정 지식을 활용해 IPTV 및 VoIP 같은 차세대 트리플 플레이 서비스의 등장을 지원하는 것은 물론, IPv6 트래픽을 보다 효율적으로 처리하기 위한 새로운 수준의 성능을 갖춘 NSE를 개발할 수 있게 됐다”고 밝혔다.
TSMC의 넥시스(Nexsys) 90nm 기술은 표준 구리 인터커넥트(standard copper interconnect)와 저유전체(low-k dielectrics), 12인치 웨이퍼 생산을 특징으로 한다. 0.13미크론 공정과 비교해 게이트 집적도는 2배, 속도는 35%, 능동 전력 절감 효과는 60%, 그리고 인터커넥트 RC는 20%까지 향상시킬 수 있다. <오현식 기자>
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