ST 마이크로일렉트로닉스와 인텔은 휴대폰 단말기 제조업자들이 개발 비용을 절감하면서 다기능 제품을 보다 빠르게 시장에 선보일 수 있도록 하기 위한 공통 플래시 메모리 서브시스템을 발표했다. 휴대폰 메모리 설계를 단순화하기 위해 공동 설계에 기반한 호환가능 하드웨어 및 소프트웨어 메모리 제품을 제공, 제조업체들이 양사의 차세대 노어 플래시제품으로 신속히 이행할 수 있도록 하기 위한 것이다.

산업 조사 기관인 아이서플라이(iSuppli)에 따르면, 휴대폰에 탑재되는 플래시 메모리의 92.8%를 노어 플래시 메모리가 점유하고 있으며, 현재 휴대폰에 들어가는 노어 플래시 메모리를 40% 이상을 인텔과 ST가 공급하고 있다. 양사는 “공동 사양을 위해 최초로 협력했다는 데 그 의의가 있다”고 설명했다.

공동 사양에 기반한 첫 번째 멀티-레벨 셀 노어 제품은 90나노 공정을 통해 설계 및 제조된 512Mb 디바이스로 인텔과 ST, 두 회사에서 공급된다. 향후 공통 서브시스템 사양은 65나노 MLC 노어 기술로 확대돼 1기가비트 의 MLC 노어 싱글 칩 제품에 주력할 예정이다. <오현식 기자>