스팬션, 차세대 플래시 메모리 관련 3개년 전략 발표
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스팬션, 차세대 플래시 메모리 관련 3개년 전략 발표
  • [dataNet] 권혁범 기자
  • 승인 2004.12.17 00:00
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AMD와 후지쯔의 플래시 메모리 부문 자회사인 스팬션LLC는 차세대 미러비트 기술에 기반의 새로운 아키텍처인 오어낸드(ORNAND™)를 국내에 소개하고, 이와 관련된 자사의 차세대 플래시 메모리 3개년 전략과 제품 로드맵을 제시했다.

스팬션이 미러비트 기술을 기반으로 새롭게 개발한 오어낸드 아키텍처는 노어형(NOR) 플래시 메모리의 장점인 코드 실행과 낸드형(NAND) 플래시 메모리의 장점인 데이터 저장 성능을 하나의 제품으로 결합시킨 것으로, 고객의 요구에 따른 최적의 플래시 메모리 제품을 공급할 수 있다.

스팬션의 CEO인 버틀란드 캠보우 박사는 "2005년 초에 업계 최초인 90나노미터 기반의 용량 1기가비트 노어형 플래시 메모리 제품 출시를 시작으로 2007년까지 65나노미터 기반의 8기가비트 플래시 메모리 제품을 출시할 계획"이라며 "이를 통해 기존의 무선 단말기 및 임베디드 중심의 시장 리더쉽을 메모리 카드 및 USB 드라이브 등 대용량 데이터 저장을 위한 플래시 메모리 부문으로 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.

우선 스팬션은 90나노미터 기반의 1Gb 노어형 플래시 메모리 제품을 업계 최초로 출시할 예정이며, 오어낸드 아키텍처 제품군은 2005년부터 본격 출시돼 2007년까지는 65 나노미터 공정에서 저장용량이 최대 8Gb에 이르는 대용량 제품을 포함해 고객들이 요구하는 다양한 용량과 성능을 모두 만족시킬 수 있는 제품 라인업이 완료될 예정이다. <권혁범 기자>


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