[데이터넷] 저열팽창 고방열 소재 부품 전문기업 코스텍시스(대표 한규진)는 저열팽창 고방열 소재 기술력을 인정받아 산업통상자원부 소재부품기술개발사업 과제에 공동연구개발 기관으로 선정됐다고 밝혔다.

이번 정부 과제는 ‘초고주파 GaN MMIC(마이크로파 직접회로) 전용 패키지 및 패키징 후공정 개발’로, 코스텍시스는 초고주파 저손실, 고방열, 점검기능 경로제공 GaN MMIC 전용 패키지 개발과 전력 소자에서 발생한 열을 외부로 방출이 용이하게 하는 열설계 구현에 나서게 된다.

연구개발 기간은 2023년 7월 1일부터 2026년 12월 31일까지며, 정부지원 총 연구개발비는 약 28억원 규모다. 이번 과제로 GaN MMIC 전력증폭기의 국산화 및 가격경쟁력 확보를 통한 수입 대체 및 수출 증가 등이 기대된다.

코스텍시스 관계자는 “저열팽창 고방열 소재 기술력을 인정받으며 현재 캐시카우 역할을 하고 있는 RF 분야에서도 지속적으로 사업을 확대해 나갈 수 있을 것”이라며 “핵심 소재 기술이 차량용 전력반도체는 물론 통신, SiC, GaN 등 차세대 화합물 반도체가 적용되는 다양한 분야로 확대 될 수 있는 가능성을 보여준다는데 의의가 크다”고 강조했다.

코스텍시스는 최근 글로벌 전력반도체 전문기업에 차량용 전력반도체 고방열 스페이서 초도 수주계약을 체결하는 등 소재 기술력이 적용될 수 있는 분야를 지속 개척해 글로벌 톱티어 소재 부품 기업으로 도약한다는 계획이다.

강석오 기자 다른기사 보기