[데이터넷] 프랙틸리아(Fractilia)는 스토캐스틱(stochastic) 기반 분석과 제어를 선도하는 차세대 반도체 산업 주자로서의 새로운 프로그램을 발표했다.
프랙틸리아는 자사의 FAME(Fractilia Automated Measurement Environment)을 사용해 SEM(Scanning Electron Microscope)의 5~20배 개선된 매칭과 30배 향상된 처리량을 기대할 수 있는 이 프로그램을 칩 제조사에게 조건 없이 제공된다.
프랙틸리아 챌린지 프로그램은 BKM(Best Known Method)을 사용해 SEM 장비로 실험에 참여할 의향이 있는 칩 제조사를 모집한다. 칩 제조사가 SEM 이미지를 보내면, 프랙틸리아는 해당 이미지들을 FAME으로 분석해 SEM 장비 성능, SEM 장비간 매칭 가능성 및 처리량 개선에 대해 기술한 맞춤형 보고서를 제공한다. FAME은 첨단 노드 공정에서 패터닝 오류의 주된 원인인 CD(Critical Dimension)와 다양한 스토캐스틱 효과를 고도로 정확하고 정밀하게 측정할 수 있는 팹 솔루션이다.
FAME을 통한 SEM 장비간 매칭의 향상에는 많은 이점이 있다. SEM 측정 정밀도와 안정성을 높임으로써 공정 수율 향상, 특정 레이어에 할당된 전용 SEM 의존성 감소로 전반적인 장비 효율 증대, 새로운 디바이스 노드 측정에 이전 세대의 SEM 재사용으로 새로운 장비에 대한 구입 비용 절감을 기대할 수 있다. FAME은 측정 정확도나 정밀도에 대한 영향 없이 SEM 장비 처리량을 향상시킨다. 따라서 동일한 측정에 대해 더 적은 수의 SEM을 사용할 수 있으며 고객의 비용과 클린룸 공간 절약이 가능하다.
프랙틸리아 에드 샤리에(Ed Charrier) CEO는 “프랙틸리아는 독창적인 접근법을 통해 높은 수준의 매칭 결과를 달성, 최근 다양한 고객들과 함께 여러 SEM 장비와 다른 세대간 SEM 장비간 매칭에서 0.02nm LWR 정밀도를 달성하는 능력을 입증했다”며 “프랙틸리아 챌린지 FAME 제품이 어떻게 칩 제조사의 기존 SEM 장비 환경을 활용해 SEM 장비간 매칭을 개선하는 동시에 SEM 장비 처리량을 증가시키는지 반도체 업계에 직접 입증할 수 있는 기회가 될 것”이라고 전했다.
프랙틸리아 크리스 맥(Chris Mack) CTO는 “SEM 장비 간 0.02nm 미만의 LWR 매칭을 달성하려면 새로운 패러다임이 필요하다. 많은 이들이 해당 수준의 매칭은 불가능하다고 말하지만 전산 계측을 통해 SEM의 오차를 측정하고 제거함으로써 실현하고 있다. 웨이퍼를 찍은 이미지가 아닌 실제 웨이퍼 위에 무엇이 있는지를 측정한다”고 설명했다.
한편 프랙틸리아의 FAME 제품군은 스토캐스틱을 고도로 정확하고 정밀하게 측정할 수 있다. 스토캐스틱은 무작위로 발생하는 반복적이지 않은 패터닝 오류로, EUV 공정에서 전체 패터닝 오류 예산의 절반 이상을 차지한다. FAME은 독자적이고 고유한 물리학에 기반한 SEM 모델링 및 데이터 분석 접근법을 사용해 SEM 이미지로부터 오는 무작위 오차와 시스템 오차를 측정하고 제거함으로써 이미지 상에 보이는 것이 아니라 실제 웨이퍼 모습을 정확하게 측정한다.
이처럼 편향되지 않은 스토캐스틱 측정은 팹 엔지니어가 첨단 패터닝 공정에서 수율 문제를 더 잘 이해하고 해결할 수 있도록 하며, 이는 디바이스 수율과 패터닝 생산성을 높이는 결과로 이어진다.
