[데이터넷] 반도체 및 첨단 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 애플리케이션을 위한 웨이퍼 처리 솔루션 전문 기업인 ACM 리서치는 전력 반도체 제조 및 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 애플리케이션을 지원하기 위해 금속 박리(MLO) 기능을 포함하도록 울트라 C pr 포토레지스트 장비 제품군을 확장했다고 밝혔다.
MLO 기능은 에칭 공정 단계를 줄이도록 사용이 가능해 비용을 절감하고 사이클 시간을 최적화하며 고온에서 화학 물질 수요를 크게 줄일 수 있다.
MLO 기능을 지원하는 ACM의 첫 번째 울트라 C pr 장비는 중국의 전력 반도체 제조사로부터 품질 검증을 마치고 양산 라인에 적용됐다.
ACM 데이비드 왕(David Wang) CEO는 “플랫폼 기반의 다양한 장비 공급사로서의 입지 강화를 위해 노력하고 있으며, 반도체 세정 분야 이외의 새로운 영역으로 시장을 넓히기 위해 제품군을 지속적으로 확장하고 있다”며 “울트라 C pr 장비는 우수한 포토레지스트 제거 기능을 발판으로 이미 광범위한 고객들을 확보하고 있다”고 밝혔다.
이어 그는 “새로운 MLO 공정을 통해 울트라 C pr 장비는 이제 포토레지스트 외부 금속층을 보다 쉽게 박리하고 기타 불필요한 금속이나 잔류물을 제거할 수 있게 됐다”며 “양산 환경에서의 이 기술에 대한 초기 검증으로서 MLO 기능을 갖춘 첫번째 울트라 C pr 장비에 대한 품질 평가가 성공적으로 이뤄져 기쁘다”고 덧붙였다.
ACM의 울트라 C pr 장비는 탱크형 고무 제거 침지 모듈 및 단일 칩 세정 챔버와 직렬로 사용되며 금속 제거 공정은 고무 제거와 동시에 수행된다. 이 장비는 서로 다른 단일 칩 세정 챔버를 고무 제거 기능과 세정 기능으로 구성하고 챔버의 구조를 최적화해 분해, 세정 및 유지 관리가 용이할 뿐 아니라 금속 스트립 공정에서 잔류물 축적 문제도 해결한다. 이 공정은 ACM의 SAPS 메가소닉 세정 기술로 구성하여 웨이퍼 세정 성능을 더욱 개선할 수 있다.
