> 뉴스 > 뉴스 > 반도체/부품
  • 트위터
  • 페이스북
  • 구플러스
  • 네이버밴드
  • 카카오스토리
     
ST, 1200V SiC JBS 다이오드 출시
높은 효율·신뢰성 달성…비용 절감 효과 제공
2017년 05월 17일 14:45:37 윤현기 기자 y1333@datanet.co.kr
   
▲ ST 1200V SiC 다이오드

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 SiC(Silicon-Carbide) 기술의 높은 스위칭 효율, 빠른 회복력, 일관된 온도 특성을 활용해 애플리케이션을 더욱 폭넓게 구현할 수 있는 2A~40A의 1200V SiC JBS(Junction Barrier Schottky) 다이오드를 출시했다고 17일 밝혔다.

ST의 SiC 다이오드 제조 공정은 동급 최고 수준의 순방향 전압(최저 VF)을 갖춘 매우 견고한 디바이스를 구현할 수 있어 더 낮은 전류 정격의 다이오드를 이용해 높은 효율 및 신뢰성을 달성하고, 결과적으로는 비용 절감의 효과를 누릴 수 있다. 이는 태양광 인버터, 산업용 모터 드라이브, 가전, 전원 어댑터처럼 비용에 민감한 애플리케이션에서도 SiC 기술의 적용 가능성을 높일 수 있는 요소가 된다.

이와 동시에 뛰어난 효율성, 저중량, 소형, 우수한 열 특성과 같은 이유로 SiC를 찾는 성능 중심의 애플리케이션도 ST의 최신 1200V SiC 다이오드를 사용해 이러한 장점들을 확장할 수 있다. 낮은 순방향 전압 강하(VF)를 통해 제공되는 높은 효율 마진은 OBC(On-Board Battery Charger) 및 PHE/EV(Plug-In Hybrid or Electric Vehicles)용 충전소와 같은 자동차 장비에도 탁월한 이점을 제공한다.

또한 전반적으로 견고한 전기적 성능을 제공함으로써 통신 및 서버 전원공급 장치, 고전력 산업용 SMPS(Switched-Mode Power Supplies) 및 모터 드라이브, UPS(Uninterruptible Power Supplies), 대형 태양광 인버터에도 완벽하게 부합할 수 있다.

SiC 효율을 극대화하는 것은 물론 최저 VF를 달성함으로써 동작온도를 낮추고, 애플리케이션 수명을 연장할 수 있다. ST의 제조 공정으로 데이터시트에 보장된 VF를 더 낮게 유지할 수 있어, OEM 업체들이 회로를 대량으로 구현할 때 탁월한 재현성을 보장할 수 있다.

ST의 새로운 1200V SiC 다이오드 제품군은 표면실장형 DPAK HV(High-Voltage) 및 D²PAK 또는 쓰루홀 TO-220AC 및 TO-247LL(Long-Lead) 패키지 기반의 자동차-인증 디바이스를 비롯해 2A에서 40A에 이르는 전류정격을 지원한다.

윤현기 기자의 다른기사 보기  
ⓒ 데이터넷(http://www.datanet.co.kr) 무단전재 및 재배포금지 | 저작권문의  

     

인기기사

 
가장 많이 본 기사
전체기사의견(0)  
 
   * 200자까지 쓰실 수 있습니다. (현재 0 byte/최대 400byte)
   * 욕설등 인신공격성 글은 삭제 합니다. [운영원칙]
전체기사의견(0)
사명: (주)화산미디어 | 주소: 서울시 강남구 강남대로 124길 26 유성빌딩 2층 | 전화: 070-8282-6180 | 팩스: 02-3446-6170
등록번호: 서울아03408 | 등록년월일: 2014년 11월 4일 | 발행년월일: 2003년 12월 17일 | 사업자등록번호: 211-88-24920
발행인/편집인: 정용달 | 통신판매업신고: 서울강남-01549호 | 개인정보관리 및 청소년보호 책임자: 박하석
Copyright 2010 데이터넷. All rights reserved. mail to webmaster@datanet.co.kr